POSTECH

교원프로필

교원에 대한 정보를 나타내는 표입니다.
성명	황현상
소속	신소재공학과
전화번호	279-2155
E-mail	hwanghs@postech.ac.kr
Homepage	http://www.sidp.kr

학력

1988.08 ~ 1992.08 UNIV. OF TEXAS AT AUSTIN (박사-금속공학)
1984.03 ~ 1988.02 서울대학교 (학사-금속공학)

주요경력

1997.11 ~ 2012.04 : 광주과학기술원
1992.08 ~ 1997.10 : LG 반도체

전문분야

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학술지

국제전문학술지

High polarization and wake-up free ferroelectric characteristics in ultrathin Hf0.5Zr0.5O2 devices by control of oxygen-deficient layer, NANOTECHNOLOGY, , 33, - (2022)
Enhanced Switching Characteristics of an Ovonic Threshold Switching Device With an Ultra-Thin MgO Interfacial Layer, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, , 43, 220-223 (2022)
A grease for domain walls motion in HfO2-based ferroelectrics, Nanotechnology, , 33, - (2022)
Defect Engineering to Achieve Wake-up Free HfO2-Based Ferroelectrics, ADVANCED ENGINEERING MATERIALS, , 23, - (2021)
Facile Approach for Improving Synaptic Modulation of Analog Resistive Characteristics by Embedding Oxygen Vacancies-Rich Sub-TaOx in Pt/Ta2O5/Ti Device Stacks, PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, , , - (2021)
A new approach to achieving strong ferroelectric properties in TiN/Hf0.5Zr0.5O2/TiN devices, Nanotechnology, , 32, - (2021)
Enhancement of ovonic threshold switching characteristics using nanometer-scale virtual electrode formed within ultrathin hafnium dioxide interlayer, APPLIED PHYSICS LETTERS, , 118, - (2021)
Improved Threshold Switching and Endurance Characteristics Using Controlled Atomic-Scale Switching in a 0.5 nm Thick Stoichiometric HfO2 Layer, ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, , 7, - (2021)
Hybrid Memory Device (Memory/Selector) with Scalable and Simple Structure for XNOR-Based Neural Network Applications, Advanced Electronic Materials, , , - (2021)
Li memristor-based MOSFET synapse for linear I-V characteristic and processing analog input neuromorphic system, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, , 60, - (2021)
Single-Atom Quantum-Point Contact Switch Using Atomically Thin Hexagonal Boron Nitride, SMALL, , 17, - (2021)
Large Remnant Polarization in a Wake-Up Free Hf0.5Zr0.5O2 Ferroelectric Film through Bulk and Interface Engineering, Acs Applied Electronic Materials, , 3, 629-638 (2021)
An Efficient Approach Based on Tuned Nanoionics to Maximize Memory Characteristics in Ag-Based Devices, ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, , 7, - (2021)
Improved synaptic functionalities of Li-based nano-ionic synaptic transistor with ultralow conductance enabled by Al2O3 barrier layer, NANOTECHNOLOGY, , 32, - (2021)
Effects of high pressure oxygen annealing on Hf0.5Zr0.5O2 ferroelectric device, NANOTECHNOLOGY, , 32, - (2021)
All-Solid-State Oxygen Ion Electrochemical Random-Access Memory for Neuromorphic Computing, ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, , 7, - (2021)
Impact of Operating Temperature on Pattern Recognition Accuracy of Resistive Array-Based Hardware Neural Networks, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, , 42, 763-766 (2021)
Ferroelectric and Dielectric Properties of Hf0.5Zr0.5O2 Thin Film Near Morphotropic Phase Boundary, Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, , 218, - (2021)
Neural Network Training Acceleration With RRAM-Based Hybrid Synapses, FRONTIERS IN NEUROSCIENCE, , 15, - (2021)
Excellent Pattern Recognition Accuracy of Neural Networks Using Hybrid Synapses and Complementary Training, IEEE Electron Device Letters, , 42, 609-612 (2021)
Towards an ideal high-kappa HfO2-ZrO2-based dielectric, NANOSCALE, , 13, 13631-13640 (2021)
Understanding of forming and switching mechanism using trap distribution model for ovonic threshold switch device, APPLIED PHYSICS LETTERS, , 118, - (2021)
A CMOS-compatible morphotropic phase boundary, NANOTECHNOLOGY, , 32, - (2021)
Improved Turn-Off Speed and Uniformity of Atomic Threshold Switch Device by AgSe Electrode and Bipolar Pulse Forming, IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, , 9, 864-867 (2021)
Impact of electrolyte density on synaptic characteristics of oxygen-based ionic synaptic transistor, Applied Physics Letters, , 119, - (2021)
Surface Diffusion and Epitaxial Self-Planarization for Wafer-Scale Single-Grain Metal Chalcogenide Thin Films, Advanced Materials, , 33, - (2021)
Deep Insight into Steep-Slope Threshold Switching with Record Selectivity (>4 × 1010) Controlled by Metal-Ion Movement through Vacancy-Induced-Percolation Path: Quantum-Level Control of Hybrid-Filament, Advanced Functional Materials, , 31, - (2021)
Hybrid memory characteristics of NbOxthreshold switching devices, Applied Physics Letters, , 119, - (2021)
Improvement of Synaptic Properties in Oxygen-Based Synaptic Transistors Due to the Accelerated Ion Migration in Sub-Stoichiometric Channels, Advanced Electronic Materials, , 7, - (2021)
Ionic Sieving Through One-Atom-Thick 2D Material Enables Analog Nonvolatile Memory for Neuromorphic Computing, Small, , 17, - (2021)
Multinary Data Processing Based on Nonlinear Synaptic Devices, Journal of Electronic Materials, , 50, 3471-3477 (2021)
Hf1–xZrxO2/ZrO2 Nanolaminate Thin Films as a High-κ Dielectric, Acs Applied Electronic Materials, , 3, 5632-5640 (2021)
Controlled Ionic Tunneling in Lithium Nanoionic Synaptic Transistor through Atomically Thin Graphene Layer for Neuromorphic Computing, ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, , 6, - (2020)
Threshold Voltage Drift in Te-Based Ovonic Threshold Switch Devices Under Various Operation Conditions, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, , 41, 191-194 (2020)
Engineering of defects in resistive random access memory devices, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, , 127, - (2020)
Excellent synaptic behavior of lithium-based nano-ionic transistor based on optimal WO2.7 stoichiometry with high ion diffusivity, NANOTECHNOLOGY, , 31, - (2020)
Evolution of 0.7 conductance anomaly in electric field driven ferromagnetic CuO junction based resistive random access memory devices, APPLIED PHYSICS LETTERS, , 116, - (2020)
Experimental Determination of the Tunable Threshold Voltage Characteristics in a Ag & x2093;Te & x2081;& x208b;& x2093;/Al & x2082;O & x2083;/TiO & x2082;-Based Hybrid Memory Device, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, , 41, 713-716 (2020)
WOx-Based Synapse Device With Excellent Conductance Uniformity for Hardware Neural Networks, IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY, , 19, 594-600 (2020)
Understanding of Selector-Less 1S1R Type Cu-Based CBRAM Devices by Controlling Sub-Quantum Filament, ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, , 6, - (2020)
Improved Pattern Recognition Accuracy of Hardware Neural Network: Deactivating Short Failed Synapse Device by Adopting Ovonic Threshold Switching (OTS)-Based Fuse Device, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, , 41, 1436-1439 (2020)
Sodium-based nano-ionic synaptic transistor with improved retention characteristics, NANOTECHNOLOGY, , 31, - (2020)
Pr0.7Ca0.3MnO3-Based Three-Terminal Synapse for Neuromorphic Computing, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, , 41, 1500-1503 (2020)
Resistive Switching in Few-Layer Hexagonal Boron Nitride Mediated by Defects and Interfacial Charge Transfer, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, , 12, 46288-46295 (2020)
Effect of dead layers on the ferroelectric property of ultrathin HfZrOx film, APPLIED PHYSICS LETTERS, , 117, - (2020)
Analysis of bending behavior of TiN particle-reinforced martensitic steel using micro-digital image correlation, Materials Science and Engineering A, , 794, - (2020)
Understanding of the Abrupt Resistive Transition in Different Types of Threshold Switching Devices from Materials Perspective, IEEE Transactions on Electron Devices, , 67, 2878-2883 (2020)
Excellent data retention characteristic of Te-based conductive-bridge RAM using semiconducting Te filament for storage class memory, SOLID-STATE ELECTRONICS, , 153, 8-11 (2019)
Hardware implementation of neural network using pre-programmed resistive device for pattern recognition, SOLID-STATE ELECTRONICS, , 153, 79-83 (2019)
W/W3-x based three-terminal synapse device with linear conductance change and high on/off ratio for neuromorphic application, APPLIED PHYSICS EXPRESS, , 12, - (2019)
RRAM-based synapse devices for neuromorphic systems, FARADAY DISCUSSIONS, , 213, 421-451 (2019)
An excellent performance of a C-Te OTS device with amorphous Ge interfacial layer for selector application, APPLIED PHYSICS LETTERS, , 114, - (2019)
RRAM-based synapse devices for neuromorphic systems (vol 213, pg 421, 2019), FARADAY DISCUSSIONS, , 213, 589-589 (2019)
Various Threshold Switching Devices for Integrate and Fire Neuron Applications, Advanced Electronic Materials, , 5, - (2019)
Investigation of I-V Linearity in TaOx-Based RRAM Devices for Neuromorphic Applications, IEEE Journal of the Electron Devices Society, , 7, 404-408 (2019)
Microstructural engineering in interface-type synapse device for enhancing linear and symmetric conductance changes, NANOTECHNOLOGY, , 30, - (2019)
3D Stackable and Scalable Binary Ovonic Threshold Switch Devices with Excellent Thermal Stability and Low Leakage Current for High-Density Cross-Point Memory Applications, ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, , 5, - (2019)
Improved Endurance of HfO2-Based Metal-Ferroelectric-Insulator-Silicon Structure by High-Pressure Hydrogen Annealing, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, , 40, 1092-1095 (2019)
Stuck-at-Fault Tolerant Schemes for Memristor Crossbar Array-Based Neural Networks, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, , 66, 2937-2945 (2019)
One transistor-two resistive RAM device for realizing bidirectional and analog neuromorphic synapse devices, NANOTECHNOLOGY, , 30, - (2019)
Quantized Conduction Device with 6-Bit Storage Based on Electrically Controllable Break Junctions, ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, , , - (2019)
Ferroelectric materials for neuromorphic computing, APL MATERIALS, , 7, - (2019)
Field-induced nucleation switching in binary ovonic threshold switches, APPLIED PHYSICS LETTERS, , 115, - (2019)
Near ideal synaptic functionalities in Li ion synaptic transistor using Li3POxSex electrolyte with high ionic conductivity, SCIENTIFIC REPORTS, , 9, - (2019)
Structural Engineering of Li-Based Electronic Synapse for High Reliability, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, , 40, 1992-1995 (2019)
Understanding of proton induced synaptic behaviors in three-terminal synapse device for neuromorphic systems, NANOTECHNOLOGY, , 30, - (2019)
Effect of conductance linearity and multi-level cell characteristics of TaOx-based synapse device on pattern recognition accuracy of neuromorphic system, NANOTECHNOLOGY, , 29, - (2018)
Improved Synapse Device With MLC and Conductance Linearity Using Quantized Conduction for Neuromorphic Systems, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, , 39, 312-315 (2018)
Ultrasensitive artificial synapse based on conjugated polyelectrolyte, NANO ENERGY, , 48, 575-581 (2018)
Additional hardening in harmonic structured materials by strain partitioning and back stress, Materials Research Letters, , 6, 261-267 (2018)
Understanding and Optimization of Pulsed SET Operation in HfOx-Based RRAM Devices for Neuromorphic Computing Applications, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, , 39, 672-675 (2018)
A C-Te-based binary OTS device exhibiting excellent performance and high thermal stability for selector application, NANOTECHNOLOGY, , 29, - (2018)
NbO2-Based Frequency Storable Coupled Oscillators for Associative Memory Application, IEEE Journal of the Electron Devices Society, , 6, 250-253 (2018)
Effect of cation amount in the electrolyte on characteristics of Ag/TiO2 based threshold switching devices, NANOTECHNOLOGY, , 29, - (2018)
Hybrid Selector With Excellent Selectivity and Fast Switching Speed for X-Point Memory Array, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, , 39, 1171-1174 (2018)
CMOS compatible low-power volatile atomic switch for steep-slope FET devices, APPLIED PHYSICS LETTERS, , 113, - (2018)
Steep Slope Field-Effect Transistors With B-Te-Based Ovonic Threshold Switch Device, IEEE Journal of the Electron Devices Society, , 6, 821-824 (2018)
Improved Synaptic Behavior of CBRAM Using Internal voltage Divider for Neuromorphic Systems, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, , 65, 3976-3981 (2018)
Modeling and System-Level Simulation for Nonideal Conductance Response of Synaptic Devices, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, , 65, 3996-4003 (2018)
Zn1-xTex Ovonic Threshold Switching Device Performance and its Correlation to Material Parameters, Scientific Reports, , 8, - (2018)
Reliable Multivalued Conductance States in TaOx, Memristors through Oxygen Plasma-Assisted Electrode Deposition with in Situ-Biased Conductance State Transmission Electron Microscopy Analysis, ACS Applied Materials and Interfaces, , 10, 29757-29765 (2018)
Implementation of Convolutional Kernel Function Using 3-D TiOx Resistive Switching Devices for Image Processing, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, , 65, 4716-4718 (2018)
Reliable Ge2Sb2Te5‐Integrated High‐Density Nanoscale Conductive Bridge Random Access Memory using Facile Nitrogen‐Doping Strategy, Advanced Electronic Materials, , 4, 1800360- (2018)
Bidirectional Non-Filamentary RRAM as an Analog Neuromorphic Synapse, Part I: Al/Mo/Pr0.7Ca0.3MnO3 Material Improvements and Device Measurements, IEEE Journal of the Electron Devices Society, , 6, 146-155 (2018)
Bidirectional Non-Filamentary RRAM as an Analog Neuromorphic Synapse, Part II: Impact of Al/Mo/Pr0.7Ca0.3MnO3 Device Characteristics on Neural Network Training Accuracy, IEEE Journal of the Electron Devices Society, , 6, 169-178 (2018)
Perspective: A review on memristive hardware for neuromorphic computation, Journal of Applied Physics, , 124, - (2018)
Field-induced nucleation in threshold switching characteristics of electrochemical metallization devices, APPLIED PHYSICS LETTERS, , 111, - (2017)
Linking Conductive Filament Properties and Evolution to Synaptic Behavior of RRAM Devices for Neuromorphic Applications, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, , 38, 1220-1223 (2017)
Improved Conductance Linearity and Conductance Ratio of 1T2R Synapse Device for Neuromorphic Systems, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, , 38, 1023-1026 (2017)
Nanometer-Scale Phase Transformation Determines Threshold and Memory Switching Mechanism, ADVANCED MATERIALS, , 29, - (2017)
Effect of a Self-Limited Reset Operation on the Reset Breakdown Characteristics of a Monolithically Integrated 1T1R RRAM, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, , 6, 440-442 (2017)
In situ TEM observation on the interface-type resistive switching by electrochemical redox reactions at a TiN/PCMO interface, Nanoscale, , 9, 582-593 (2017)
Controllable quantized conductance for multilevel data storage applications using conductive bridge random access memory, NANOTECHNOLOGY, , 28, - (2017)
Simple Binary Ovonic Threshold Switching Material SiTe and Its Excellent Selector Performance for High-Density Memory Array Application, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, , 38, 568-571 (2017)
HfZrOx-Based Ferroelectric Synapse Device With 32 Levels of Conductance States for Neuromorphic Applications, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, , 38, 732-735 (2017)
Multi-layered NiOy/NbOx/NiOy fast drift-free threshold switch with high on/off ratio for selector application, Scientific Reports, , 7, - (2017)
Dual functionality of threshold and multilevel resistive switching characteristics in nanoscale HfO2-based RRAM devices for artificial neuron and synapse elements, MICROELECTRONIC ENGINEERING, , 182, 42-45 (2017)
Self-Limited CBRAM With Threshold Selector for 1S1R Crossbar Array Applications, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, , 38, 1532-1535 (2017)
Excellent Threshold Selector Characteristics of Cu2S-based Atomic Switch Device, ECS Journal of Solid State Science and Technology, , , - (2017)
Effects of Liner Thickness on the Reliability of AgTe/TiO2-Based Threshold Switching Devices, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, , 64, 4763-4767 (2017)
Reduced off-current of NbO2 by thermal oxidation of polycrystalline Nb wire, ECS Journal of Solid State Science and Technology, , 6, 641-643 (2017)
Automatic ReRAM SPICE Model Generation From Empirical Data for Fast ReRAM-Circuit Coevaluation, IEEE TRANSACTIONS ON VERY LARGE SCALE INTEGRATION (VLSI) SYSTEMS, , 25, 1821-1830 (2017)
Excellent Threshold Selector Characteristics of Cu2S-based Atomic Switch Device, ECS Journal of Solid State Science and Technology, , 6, P586-P588 (2017)
Automatic ReRAM SPICE Model Generation From Empirical Data for Fast ReRAM-Circuit Coevaluation, IEEE TRANSACTIONS ON VERY LARGE SCALE INTEGRATION (VLSI) SYSTEMS, , 25, 1821-1830 (2017)
Monolithic integration of AgTe/TiO2 based threshold switching device with TiN liner for steep slope field-effect transistors, Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM, , , 25.3.1-25.3.4 (2017)
Excellent threshold switching device (Ioff �� 1 pA) with atom-scale metal filament for steep slope (< 5 mV/dec), ultra low voltage (Vdd = 0.25 V) FET applications, Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM, , , 34.7.1-37.7.4 (2017)
Neuromorphic computing using non-volatile memory, Advances in Physics-x, , 2, 89-124 (2017)
Communication-Impact of Filament Instability in an Ag2S-Based Conductive-Bridge RAM for Cross-Point Selector Applications, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, , , - (2016)
Introduction of WO3 Layer in a Cu-Based Al2O3 Conductive Bridge RAM System for Robust Cycling and Large Memory Window, IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, , , - (2016)
Role of Local Chemical Potential of Cu on Data Retention Properties of Cu-Based Conductive-Bridge RAM, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, , , - (2016)
Comprehensive scaling study of NbO2 insulator-metal-transition selector for cross point array application, APPLIED PHYSICS LETTERS, , , - (2016)
Retention modeling for ultra-thin density of Cu-based conductive bridge random access memory (CBRAM), AIP ADVANCES, , , - (2016)
Effects of High-Pressure Hydrogen Annealing (HPHA) on Reliability Characteristics of RRAM, JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, , , - (2016)
Communication-Comprehensive Assessment of a Back-to-Back Schottky Diode with Ultrathin TiO2 Layer for Cross-Point Selector Applications, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, , 5, Q188-Q190 (2016)
Improved reset breakdown strength in a HfOx-based resistive memory by introducing RuOx oxygen diffusion barrier, AIP ADVANCES, , 6, - (2016)
Dynamics of electroforming and electrically driven insulator-metal transition in NbOx selector, APPLIED PHYSICS LETTERS, , 108, - (2016)
Steep Slope Field-Effect Transistors With Ag/TiO2-Based Threshold Switching Device, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, , 37, 932-934 (2016)
Communication-Hourglass-Shaped Metal-Filament Switching Device with Multi-Layer (AlOX/TiO2) Oxide Electrolytes, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, , 5, Q219-Q221 (2016)
Scalable Neuron Circuit Using Conductive-Bridge RAM for Pattern Reconstructions, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, , 63, 2610-2613 (2016)
TiOx-Based RRAM Synapse With 64-Levels of Conductance and Symmetric Conductance Change by Adopting a Hybrid Pulse Scheme for Neuromorphic Computing, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, , 37, 1559-1562 (2016)
Optimized Programming Scheme Enabling Linear Potentiation in Filamentary HfO2 RRAM Synapse for Neuromorphic Systems, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, , 63, 5064-5067 (2016)
Analog Synapse Device With 5-b MLC and Improved Data Retention for Neuromorphic System, IEEE Electron Device Letters, , 37, 1067-1070 (2016)
Improved Synaptic Behavior under Identical Pulses using AlOx/HfO2 Bilayer RRAM Array for Neuromorphic Systems, IEEE Electron Device Letters, , 37, 994-997 (2016)
Atomic-scale quantification of interdiffusion and dopant localization in GeSbTe-based memory devices, Applied Physics Letters, , 109, - (2016)
Organic core-sheath nanowire artificial synapses with femtojoule energy consumption, Science advances, , 2, - (2016)
Multilevel Cell Storage and Resistance Variability in Resistive Random Access Memory, Physical Sciences Reviews, , 1, - (2016)
Demonstration of Low Power 3-bit Multilevel Cell Characteristics in a TaOx-Based RRAM by Stack Engineering, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, , 36, 32-34 (2015)
Effect of AC pulse overshoot on nonlinearity and reliability of selectorless resistive random access memory in AC pulse operation, SOLID-STATE ELECTRONICS, , 104, 70-74 (2015)
Structurally Engineered Stackable and Scalable 3D Titanium-oxide Switching devices for High-density Nanoscale Memory, ADVANCED MATERIALS, , 27, 59-64 (2015)
Effect of nitrogen doping on variability of TaOx-RRAM for low-power 3-bit MLC applications, ECS Solid State Letters, , 4, 25-28 (2015)
Electronic system with memristive synapses for pattern recognition, SCIENTIFIC REPORTS, , 5, - (2015)
Optimization of Conductance Change in Pr1-xCaxMnO3-Based Synaptic Devices for Neuromorphic Systems, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, , 36, 457-459 (2015)
Trade-off between number of conductance states and variability of conductance change in Pr0.7Ca0.3MnO3-based synapse device, APPLIED PHYSICS LETTERS, , 106, - (2015)
Neuromorphic Hardware System for Visual Pattern Recognition With Memristor Array and CMOS Neuron, IEEE TRANSACTIONS ON INDUSTRIAL ELECTRONICS, , 62, 2410-2419 (2015)
Accelerated Retention Test Method by Controlling Ion Migration Barrier of Resistive Random Access Memory, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, , 36, 238-240 (2015)
Experimental Demonstration and Tolerancing of a Large-Scale Neural Network (165 000 Synapses) Using Phase-Change Memory as the Synaptic Weight Element, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, , 62, 3498-3507 (2015)
A study of threshold switching of NbO2 using atom probe tomography and transmission electron microscopy, MICRON, , 79, 101-109 (2015)
The band-gap energy dependence of metal oxides on non-linear characteristics in the HfO2-based resistive random access memory, MICROELECTRONIC ENGINEERING, , 147, 321-324 (2015)
Improved threshold switching characteristics of multi-layer NbOx for 3-D selector application, MICROELECTRONIC ENGINEERING, , 147, 318-320 (2015)
Bidirectional threshold switching in engineered multilayer (Cu2O/Ag:Cu2O/Cu2O) stack for cross-point selector application, APPLIED PHYSICS LETTERS, , 107, - (2015)
Comprehensive analysis of electro thermally driven nanoscale insulator-metal transition SmNiO3-based selector for cross-point memory array, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, , 54, 4DD09- (2015)
Threshold Selector With High Selectivity and Steep Slope for Cross-Point Memory Array, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, , 36, 681-683 (2015)
Effects of N-Doped GeSbTe Buffer Layer on Switching Characteristics of Cu/Al2O3-Based CBRAM, ECS SOLID STATE LETTERS, , 4, Q25-Q28 (2015)
Resistance controllability and variability improvement in a TaOx-based resistive memory for multilevel storage application, APPLIED PHYSICS LETTERS, , 106, - (2015)
Switching mechanism of Al/La1-xSrxMnO3 resistance random access memory. I. Oxygen vacancy formation in perovskites, RSC ADVANCES, , 5, 102772-102779 (2015)
Threshold switching behavior of Ag-Si based selector device and hydrogen doping effect on its characteristics, AIP ADVANCES, , 5, 127221- (2015)
Demonstration of Low Power 3-bit Multilevel Cell Characteristics in a TaOx-Based RRAM by Stack Engineering, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, , 36, 32-34 (2015)
Control of Cu Conductive Filament in Complementary Atom Switch for Cross-Point Selector Device Application, IEEE Electron Device Letters, , 35, 60-62 (2014)
Optimized lightning-rod effect to overcome trade-off between switching uniformity and on/off ratio in ReRAM, IEEE Electron Device Letters, , 35, 214-216 (2014)
Tunnel Barrier Engineering of Titanium Oxide for High Non-Linearity of Selector-less Resistive Random Access Memory, Applied Physics Letters, , 104, 52108- (2014)
Dependence of reactive metal layer on resistive switching in a bi-layer structure Ta/HfOx filament type resistive random access memory, Applied Physics Letters, , 104, 83507- (2014)
Neuromorphic Character Recognition System With Two PCMO Memristors as a Synapse, IEEE TRANSACTIONS ON INDUSTRIAL ELECTRONICS, , 61, 2933-2941 (2014)
Internal Resistor of Multi-Functional Tunnel Barrier for Selectivity and Switching Uniformity in Resistive Random Access Memory, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, , 9, 364- (2014)
Effects of High-Pressure Hydrogen Annealing on the Formation of Conducting Filaments in Filament-Type Resistive Random-Access Memory, JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, , 43, 3635-3639 (2014)
A nitrogen-treated memristive device for tunable electronic synapses, Semiconductor Science and Technology, , 29, 104006-104010 (2014)
Hardware implementation of associative memory characteristics with analogue-type resistive-switching device, NANOTECHNOLOGY, , 25, 495204- (2014)
Stepwise set operation for reliable switching uniformity and low operating current of ReRAMs, SOLID-STATE ELECTRONICS, , 102, 42-45 (2014)
Nonlinear oscillations of a sessile drop on a hydrophobic surface induced by ac electrowetting, PHYSICAL REVIEW E, , 90, - (2014)
Highly Non-Linear Nitrogen Doped ZnO Based Selector Device for Cross-Point Array, ECS SOLID STATE LETTERS, , 3, P136-P139 (2014)
Engineering Oxygen Vacancy of Tunnel Barrier and Switching Layer for Both Selectivity and Reliability of Selector-Less ReRAM, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, , 35, 1022-1024 (2014)
Non-Linear I-V Characteristics of TiOy Film by Optimizing Thickness and Trap Density for Selector-Less ReRAM, ECS SOLID STATE LETTERS, , 3, P117-P119 (2014)
Effects of Ti Buffer Layer on Retention and Electrical Characteristics of Cu-Based Conductive-Bridge Random Access Memory (CBRAM), ECS SOLID STATE LETTERS, , 3, P120-P122 (2014)
Access devices for 3D crosspoint memory, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, , 32, - (2014)
Low-temperature spin-on-glass method involving high-pressure annealing for filling high-aspect-ratio structures, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, , 53, - (2014)
Effects of RESET Current Overshoot and Resistance State on Reliability of RRAM, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, , 35, 636-638 (2014)
Tunnel barrier engineering of titanium oxide for high non-linearity of selector-less resistive random access memory, APPLIED PHYSICS LETTERS, , 104, - (2014)
Optimized Lightning-Rod Effect to Overcome Trade-Off Between Switching Uniformity and On/Off Ratio in ReRAM, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, , 35, 214-216 (2014)
Complementary Resistive Switching in Niobium Oxide-Based Resistive Memory Devices, IEEE Electron Device Letters, , 34, 235-237 (2013)
Effects of high-pressure annealing on random telegraph signal noise characteristic of source follower block in CMOS image sensor, IEEE Electron Device Letters, , 34, 190-192 (2013)
Thermally-activated device non-linearity in resistance-switching memory for cross-point array applications, Applied Physics Letters, , 102, 122115- (2013)
Threshold-Switching Characteristics of a Nanothin-NbO2-layer-based Pt/NbO2/Pt stack for Use in Cross-point-type Resistive Memories, Microelectronic Engineering, , 107, 33-36 (2013)
Hydrogenated IGZO thin-film transistors using high-pressure hydrogen annealing, IEEE Transactions on Electron Devices, , 60, 2537-2541 (2013)
Interface engineering for low power and uniform resistive switching in bi-layer structural filament type ReRAM, Microelectronic Engineering, , 109, 385-388 (2013)
Selector-less RRAM with non-linearity of device for cross-point array applications, Microelectronic Engineering, , 109, 360-363 (2013)
Nanoscale RRAM-based synaptic electronics: toward a neuromorphic computing device, Nanotechnology, , 24, 384009- (2013)
Defect Engineering Using Bilayer Structure in Filament-Type RRAM, IEEE Electron Device Letters, , 34, 1250-1252 (2013)
Highly reliable resistive switching without an initial forming operation by defect engineering, IEEE Electron Device Letters, , 34, 1515-1517 (2013)
Vertically Stacked ReRAM Composed of a Bidirectional Selector and CB-RAM for Cross-point Array Applications, IEEE Electron Device Letters, , 34, 1512-1514 (2013)
Multilayer-oxide-based bidirectional cell selector device for cross-point resistive memory applications, Applied Physics Letters, , 103, 202113- (2013)
Co-occurrence of Threshold Switching and Memory Switching in Pt/NbOx/Pt Cells for Crosspoint Memory Applications, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, , 33, 236-238 (2012)
Characterization of ZnO nanowire field effect transistors by fast hydrogen peroxide solution treatment, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, , 51, - (2012)
Operation Voltage Control in Complementary Resistive Switches Using Heterodevice, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, , 33, 600-602 (2012)
MIM-type cell selector for high-density and low-power cross-point memory application, MICROELECTRONIC ENGINEERING, , 93, 81-84 (2012)
Improved Switching Variability and Stability by Activating a Single Conductive Filament, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, , 33, 646-648 (2012)
Highly Uniform and Reliable Resistance Switching Properties in Bilayer WOx/NbOx RRAM Devices, PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, , 209, 1179-1183 (2012)
Improved switching uniformity in resistive random access memory containing metal-doped electrolyte due to thermally agglomerated metallic filaments, APPLIED PHYSICS LETTERS, , 100, - (2012)
Self-selective Characteristics of Nanoscale VOx Devices for High-density ReRAM Applications, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, , 33, 718-720 (2012)
In-depth Study on the Effect of Active Area Scale-down of Solution-processed TiOx, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, , 33, 869-871 (2012)
Ferroelectricity-induced resistive switching in Pb(Zr 0.52Ti 0.48)O 3/Pr 0.7Ca 0.3MnO 3/Nb-doped SrTiO 3 epitaxial heterostructure, APPLIED PHYSICS LETTERS, , 100, - (2012)
A study of the leakage current in TiN/HfO2/TiN capacitors, MICROELECTRONIC ENGINEERING, , 95, 71-73 (2012)
High Current Density and Nonlinearity Combination of Selection Device Based on TaOX/TiO2/TaOX Structure for One Selector-One Resistor Arrays, ACS NANO, , 6, 8166-8172 (2012)
Defect engineering: reduction effect of hydrogen atom impurities in HfO2-based resistive-switching memory devices, NANOTECHNOLOGY, , 23, - (2012)
Low-Power and Controllable Memory Window in Pt/Pr0.7Ca0.3MnO3/Yttria-Stabilized Zirconia/W Resistive Random-Access Memory Devices, JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, , 12, 3253-3255 (2012)
Self-formed Schottky barrier induced selector-less RRAM for cross-point memory applications, PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS, , 6, 454-456 (2012)
Programmable analogue circuits with multilevel memristive device, ELECTRONICS LETTERS, , 48, 1415-1416 (2012)
Improvement of resistive switching uniformity by introducing a thin NbOx interface layer, ECS SOLID STATE LETTERS, , 1, Q35-Q38 (2012)
Communication-Hourglass-Shaped Metal-Filament Switching Device with Multi-Layer (AlOX/TiO2) Oxide Electrolytes, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, , 5, Q219-Q221 (0020)
Nonvolatile memory crossbar arrays for non-von neumann computing, Cognitive Systems Monographs, , 31, 129-149 (0020)

국내전문학술지

일반학술지

학술회의논문

Highly-stable (< 3% fluctuation) Ag-based Threshold Switch with Extreme-low OFF Current of 0.1 pA, Extreme-high Selectivity of 109 and High Endurance of 109 Cycles, 2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 0, 0, - (2020)
Te-Based Binary OTS Selectors with Excellent Selectivity (>105), Endurance (>108) and Thermal Stability (>450 °C), 2018 IEEE SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, 0, 0, - (2018)
Monolithic Integration of AgTe/TiO 2 based Threshold Switching Device with TiN liner for Steep Slope Field-Effect Transistors, 2016 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (2016 IEDM), 0, 0, - (2016)

학회발표

High-Speed Ternary CMOS Inverter by Monolithic Integration of NbO2 Threshold Switch with MOSFET, 2021 IEEE International Electron Devices Meeting, 0, 0, - (2021)
Hardware Neural Network using Hybrid Synapses via Transfer Learning: WOx Nano-Resistors and TiOx RRAM Synapse for Energy-Efficient Edge-AI Sensor, 2021 IEEE International Electron Devices Meeting, 0, 0, - (2021)
Improved On-chip Training Efficiency at Elevated Temperature and Excellent Inference Accuracy with Retention (> 108 s) of Pr0.7Ca0.3MnO3-x ECRAM Synapse Device for Hardware Neural Network, 2021 IEEE International Electron Devices Meeting, 0, 0, - (2021)
Excellent Synapse Characteristics of 50 nm Vertical Transistor with WOx channel for High Density Neuromorphic system, 2021 Symposium on VLSI Technology, 0, 0, - (2021)
OTS-based Analog-to-Stochastic Converter for Fully-Parallel Weight Update in Cross-point Array Neural Networks, 2021 Symposium on VLSI Technology, 0, 0, - (2021)
Mg-Te OTS selector with Low Ioff ( < 100 pA), Fast Switching Speed (τd = 7 ns), and High Thermal Stability (400 °C / 30min) for X-point Memory Applications, 2021 Symposium on VLSI Technology, 0, 0, - (2021)
Defect Engineering을 통한 TiN/H0.5Z0.5O2/TiN 커패시터의 Wake-up Effect와 강유전성 개선, 제 28회 한국반도체학술대회, 0, 0, - (2021)
Highly-stable (< 3% fluctuation) Ag-based Threshold Switch with Extreme-low OFF Current of 0.1 pA, Extreme-high Selectivity of 109 and High Endurance of 109, 2020 IEEE International Electron Devices Meeting, 0, 0, - (2020)
Improved Switching Speed Characteristics of Ag-doped HfO2 Atomic Switch Devices, The 27th Korean Conference on Semiconductors / 제 27회 한국반도체학술대회, 0, 0, - (2020)
Effects of High-pressure Hydrogen Annealing on the Ferroelectric Properties of W/Al:HfO2/W Stacks, The 27th Korean Conference on Semiconductors / 제 27회 한국반도체학술대회, 0, 0, - (2020)
Synaptic Device Failure Analysis of Array-Based Neuromorphic System Using Sigmoidal TS Neuron, The 27th Korean Conference on Semiconductors / 제 27회 한국반도체학술대회, 0, 0, - (2020)
Sodium Ion Based Three-terminal Synapse Device with Near Ideal Synaptic Behavior and Improved Retention for Neuromorphic Systems, The 27th Korean Conference on Semiconductors / 제 27회 한국반도체학술대회, 0, 0, - (2020)
Ultra-thin (<10nm) Dual-oxide (Al2O3/TiO2) Hybrid Device (Memory/Selector) with Extremely Low Ioff (<1nA) and Ireset (<1nA) for 3D Storage Class Memory, 2019 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers, 0, 0, - (2019)
Proton–Based Three–Terminal Synapse Device with Analog Conductance Change and Linear I-V Characteristics for Neuromorphic Systems, 제 26회 한국반도체학술대회, 0, 0, - (2019)
NbO2-Based IMT Device for Neuromorphic Applications, 제 26회 한국반도체학술대회, 0, 0, - (2019)
Thermally Stable Te-based Binary OTS Device for Selector Application, Non-Volatile Memory Technology Symposium 2018, 0, 0, - (2018)
Three Terminal Synapse Device with Linear Conductance Change and Linear I-V Characteristics, 2018 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, 0, 0, - (2018)
Proton-based Three-terminal Synapse Device with Symmetric and Analog Conductance Change Characteristics for Neuromorphic Systems, 2018 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, 0, 0, - (2018)
Hardware Neural Network for Pattern Recognition Using Pre-Programmed Resistive Device, 2018 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, 0, 0, - (2018)
Evaluation of Weight Quantization Method for Neural Network using TaOx RRAM, 2018 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, 0, 0, - (2018)
Improved On-Current of Ag/NiO/TiO2/Pt Threshold Switching Device by Suppressing the Ag Incorporation, 제 25회 한국반도체학술대회, 0, 0, - (2018)
Thermally Stable Resistive Switching Characteristics of Te-Based Conductive-Bridge Memoryby Optimizing Zr-Te Composition, 제 25회 한국반도체학술대회, 0, 0, - (2018)
Hardware Implementation of Neural Network Using Pre-Programmed Resistive Device for Pattern Recognition, 제 25회 한국반도체학술대회, 0, 0, - (2018)
Evaluation of Weight Quantization Method in Neural Network with TaOx-Based RRAM, 제 25회 한국반도체학술대회, 0, 0, - (2018)
NbO2 based threshold switch device with high operating temperature (>85°C) for steep-slope MOSFET (~2mV/dec) with ultra-low voltage operation and improved delay time, 2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 0, 0, - (2017)
Study on Insulator - metal transition characteristics of NbO2 for selector device, Non-Volatile Memory Technology Symposium 2017(NVMTS 2017), 0, 0, - (2017)
Reducing Circuit Design Complexity for Neuromorphic Machine Learning Systems Based on Non-Volatile Memory Arrays, 2017 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS), 0, 0, - (2017)
Excellent threshold switching device (I OFF ~ 1 pA) with atom-scale metal filament for steep slope (< 5 mV/dec), ultra low voltage (V DD = 0.25 V) FET applications, 2016 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (2016 IEDM), 0, 0, - (2016)
Monolithic Integration of AgTe/TiO 2 based Threshold Switching Device with TiN liner for Steep Slope Field-Effect Transistors, 2016 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (2016 IEDM), 0, 0, - (2016)
Accelerating machine learning with Non-Volatile Memory: Exploring device and circuit tradeoffs, IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON REBOOTING COMPUTING (ICRC 2016), 0, 0, - (2016)
Large-scale neural networks implemented with Non-Volatile Memory as the synaptic weight element: Impact of conductance response, 46TH EUROPEAN SOLID-STATE DEVICE RESEARCH CONFERENCE (ESSDERC), 0, 0, - (2016)
Te-Based Amorphous Binary OTS Device with Excellent Selector Characteristics for X-point Memory, 2016 SYMPOSIA ON VLSI TECHNOLOGY AND CIRCUITS, 0, 0, - (2016)
Full Chip Integration of 3-D Cross-Point ReRAM with Leakage-Compensating Write Driver and Disturbance-Aware Sense Amplifier, 2016 SYMPOSIA ON VLSI TECHNOLOGY AND CIRCUITS, 0, 0, - (2016)
Multilevel Conductance Switching of a HfO2 RRAM Array Induced by Controlled Filament for Neuromorphic Applications, IEEE SILICON NANOELECTRONICS WORKSHOP 2016 (SNW2016), 0, 0, - (2016)
Improved Endurance of RRAM by Optimizing Reset Bias Scheme in 1T1R Configuration to Suppress Reset Breakdown, IEEE SILICON NANOELECTRONICS WORKSHOP 2016 (SNW2016), 0, 0, - (2016)
Bidirectional Threshold Switching in Ag:Cu2O-based Multilayer Stack for Cross-Point Selector Application, 제23회 한국반도체학술대회, 0, 0, - (2016)
Demonstration of Bi-Directional Selector in 8 inch Wafer Process with Fully CMOS Compatibility for ReRAM Cross-Point Array, 제23회 한국반도체학술대회, 0, 0, - (2016)
Resistance Controllability and Variability Improvement in a TaOx- based Resistive Memory for Multilevel Storage Application, 제23회 한국반도체학술대회, 0, 0, - (2016)
Reliability of Hour-Glass Shaped Filament in a Cu-based Al2O3/WO3 Conductive Bridge RAM System, 제23회 한국반도체학술대회, 0, 0, - (2016)
Suppression of the Reset Breakdown Failure by using RuO2 Electrode in HfOx-based RRAM, 제23회 한국반도체학술대회, 0, 0, - (2016)
Effects of N-GST Buffer Layer on Switching Characteristics of CBRAM, 제23회 한국반도체학술대회, 0, 0, - (2016)
Effects of Gate Bias on Reset Failure in HfO2 based 1T1R ReRAM Cell, 제23회 한국반도체학술대회, 0, 0, - (2016)
Origin of Leakage Current of NbOx Film and Improved Threshold Switching Characteristics of Multi-layer NbOx Selector, 제23회 한국반도체학술대회, 0, 0, - (2016)
High density neuromorphic system with Mo/Pr0.7Ca0.3MnO3 synapse and NbO2 IMT oscillator neuron, ., 0, 0, - (2015)
Study on the Effect of Oxygen Vacancy Modulation of Tunnel Barrier and Switching Layer of ReRAM on Low Leakage current and Voltage Symmetry for ReRAM Cross-point Array, ., 0, 0, - (2015)
AC pulse characteristics of 1S(Selector)1R(ReRAM) device, ., 0, 0, - (2015)
Improved Threshold Switching Characteristics of Multi-layer NbOx for 3-D Selector Application, ., 0, 0, - (2015)
Comprehensive Methodology for ReRAM and Selector Design Guideline of Cross-point Array, ., 0, 0, - (2015)
Multi-state resistance switching and variability analysis of HfOx Based RRAM for ultra-high density memory applications, ., 0, 0, - (2015)
Towards High Performance Selector Device for 3D Stacked Cross-Point Arrays, ., 0, 0, - (2015)
Hardware Implementation of Associative Memory Characteristics, ., 0, 0, - (2015)
TiOx-based Filamentary ReRAM Synapse for Neuromorphic Systems, ., 0, 0, - (2015)
Multi-state resistance controllability and variability analysis of binary oxide RRAM for ultra-high density memory applications, ., 0, 0, - (2015)
Sub-Oxide Dependence of Insulator Metal Transition Characteristics on 3-D Structural Niobium Oxide Selector, ., 0, 0, - (2015)
Improvement in reliability characteristics (retention and endurance) of RRAM by using high-pressure hydrogen annealing, ., 0, 0, - (2015)
Selector-less ReRAM with an Excellent Selectivity by the Tunnel Barrier Engineered Multi-layer Titanium Oxide and Triangular Shaped AC Pulse, ., 0, 0, - (2015)
Effect of TiOx-based tunnel barrier on non-linearity and switching reliability of resistive random access memory, ., 0, 0, - (2014)
The Effect of Nitrogen doped GST Buffer Layer on Switching Characteristics of Conductive-Bridging RAM, ., 0, 0, - (2014)
8’’Wafer-scale HfOx-based RRAM for 1S-1R Cross-point Memory Applications, ., 0, 0, - (2014)
Electro-thermal driven nano-scale IMT characteristics of SmNiO3 for selector application of cross-point memory array, ., 0, 0, - (2014)
Electrical and Reliability Characteristics of a Scaled (~30nm) Tunnel Barrier Selector (W/Ta2O5/TaOx/TiO2/TiN) with Excellent Performance (JMAX > 107A/cm2), ., 0, 0, - (2014)
Resistive-switching Analogue Memory Device for Neuromorphic Application, ., 0, 0, - (2014)
Improvement in Reliability Characteristics (retention and endurance) of RRAM by using High-Pressure Hydrogen Annealing, ., 0, 0, - (2014)
Direct Observation of Interfacial Switching Process of PrxCa1-xMnO3-Based Resistive Random Access Memory Devices Using in situ TEM, ., 0, 0, - (2014)
Building Artificial Brains using Redox-based Memristive Synapses, ., 0, 0, - (2014)
An Investigation of Electrical Characteristics in TiOx Thin Film by Controlling Oxygen Vacancy, ., 0, 0, - (2014)
Excellent Non-Linear I-V Characteristics of Ti/HfOx ReRAM with Ultrathin TiOy Tunnel Barrier for Cross Point Memory Application, ., 0, 0, - (2014)
Metal-Insulator-Transition in Nano Scale SmNiO3 for Selector Application with BEOL Compatibility, ., 0, 0, - (2014)
Improved synaptic characteristics of filamentary ReRAM by adopting interfacial oxide for neuromorphic device application, ., 0, 0, - (2014)
Improvement in the ON/OFF Ratio (~107) and Switching Uniformity of an Atom Switch Using TiOx Layer for Reconfigurable Logic Application, ., 0, 0, - (2014)
A Two-Step Set Operation for Reliability of ReRAM with Triple-Layer ReRAM, ., 0, 0, - (2014)
Improved Reliability of RRAM by Optimizing Pulse Shape to Minimize Current Overshoot, ., 0, 0, - (2014)
Neuromorphic Speech Systems Using Advanced ReRAM-Based Synapse, ., 0, 0, - (2013)
Nanoscale (~10nm) 3D Vertical ReRAM and NbO2 Threshold Selector with TiN Electrode, ., 0, 0, - (2013)
Selector-less ReRAM with an Excellent Non-Linearity and Reliability by the Band-Gap Engineered Multi-Layer Titanium Oxide and Triangular Shaped AC Pulse, ., 0, 0, - (2013)
BEOL Compatible (300oC) TiN/TiOx/Ta/TiN 3D nanoscale (~10nm) IMT Selector, ., 0, 0, - (2013)
Conducting filament engineering by triple-layer RRAM for uniform resistive switching, ., 0, 0, - (2013)
Study on nano-scale threshold switching behavior of NbOx film for ReRAM selector application, ., 0, 0, - (2013)
Excellent Reliability and Switching Uniformity of RRAM by Optimizing SET/RESET Pulse Shape to Minimize Current Overshoot, ., 0, 0, - (2013)
A Two-Step Set Operation for Highly Uniform Resistive Swtiching ReRAM by Controllable Filament, ., 0, 0, - (2013)
Selector-less RRAM with Non-linearity of Device for Cross-point Array Applications, ., 0, 0, - (2013)
Interface engineering for low power and uniform resistive switching in bi-layer structural filament type ReRAM, ., 0, 0, - (2013)
Multi-layer tunnel barrier (Ta2O5/TaO x/TiO2) engineering for bipolar RRAM selector applications, ., 0, 0, - (2013)
RRAM-based Synapse for Neuromorphic System with Pattern Recognition Function, ., 0, 0, - (2012)
Programmable Analog Circuits with Multi-level Memristive device, ., 0, 0, - (2012)
TiOx Layer Engineering for Producing Non-Linear Characteristic in HfOx-based Resistive Random Access Memory, ., 0, 0, - (2012)
Hybrid Memory Device with Both Memory and Selector Characteristics, ., 0, 0, - (2012)
Selector Devices for Cross-point ReRAM, ., 0, 0, - (2012)
Ultrathin (<10nm) Nb2O5/NbO2 Hybrid Memory with Both Memory and Selector Characteristics for High Density 3D Vertically Stackable RRAM Applications, ., 0, 0, - (2012)
Varistor-type Bidirectional Switch (JMAX>107A/cm2, Selectivity~104) for 3D Bipolar Resistive Memory Arrays, ., 0, 0, - (2012)
Bidirectional Selection Device Characteristics of Ultra‐Thin(<3nm) TiO2 layer for 3D Vertically Stackable ReRAM Application, ., 0, 0, - (2012)
Increasing Interfacial Fixed Charge at Al2O3/Si Using High Pressure Oxygen Annealing for Solar Cell Application, ., 0, 0, - (2012)
Improved Switching Uniformity in Ge2Sb2Te5 Based Resistive Switching Memory Device by Using Internal Resistor, ., 0, 0, - (2012)
A new read scheme using-built in selectivity for high-density cross-point array resistive switching memory application, ., 0, 0, - (2012)
Ferroelectricity Induced Resistance Switching in PZT/PCMO/Nb:STO Epitaxial Heterostructure, ., 0, 0, - (2012)

단행본

Neuro-inspired Computing Using Resistive Synaptic Devices, Springer, 269, HWANG, H (2017)
Advances in Neuromorphic Hardware Exploiting Emerging Nanoscale Devices, Springer, 210, HWANG, H (2017)
Nano Devices and Sensors / Multilevel Cell Storage and Resistance Variability in Resistive Random Access Memory, Walter de Gruyter GmbH & Co KG, , (2016)
Nano Devices and Sensors / Multilevel Cell Storage and Resistance Variability in Resistive Random Access Memory, Walter de Gruyter GmbH & Co KG, , (2016)
Resistive Switching: From Fundamentals of Nanoionic Redox Processes to Memristive Device Applications / Select device concepts for crossbar arrays, Wiley‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, , (2016)
Resistive Switching: From Fundamentals of Nanoionic Redox Processes to Memristive Device Applications / Select device concepts for crossbar arrays, Wiley‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, , (2016)

연구실적

S_직접비_제정호, 포항공과대학교 (2003-2024)
저항변화메모리(RERAM)용 선택소자 개발 및 신뢰성 평가, 에스케이하이닉스 주식회사 (2012-2013)
OXIDE-BASED RESISTIVE MEMORY VARIABILITY, SEMICONDUCTOR RESEARCH CORPORATION (2012-2013)
차세대 비휘발성 저항 변화 메모리(RERAM) 원천 기술개발, 광주과학기술원 (2011-2012)
뉴로모픽(NEUROMORPHIC) 반도체 소자 응용기술, 광주과학기술원 (2012-2012)
차세대 비휘발성 저항 변화 메모리 (RERAM) 원천 기술 개발, 재단법인한국연구재단 (2012-2013)
창의자본 기반조성사업(IP 인큐베이션 특허풀 구축 및 활용 사업), 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 (2012-2012)
저항변화메모리(RERAM)소자개발, 포항공과대학교 (2012-2013)
신규부임교수 기자재지원비(대학부담), 포항공과대학교 (2012-2013)
신규부임교수 기자재지원비(학과부담), 포항공과대학교 (2012-2013)
테라비트급 3차원 RERAM 원천기술 개발, 에스케이하이닉스 주식회사 (2012-2013)
패턴 인식 기능을 가진 NEUROMORPHIC CHIP 구현을 위한 ARRAY 개발, 삼성전자(주) (2012-2012)
저항변화메모리(RERAM)소자 개발, 포항공과대학교 (2012-2013)
뉴로모픽(NEUROMORPHIC) 소자용 고집적 시냅스 소자 및 집적공정 개발, 재단법인한국연구재단 (2012-2013)
POSTECH-삼성전자 RERAM 클러스터 연구과제(황현상), 삼성전자(주) (2012-2013)
재구성(RECONFIGURABLE) NV-LOGIC반도체용 스위칭 소자 기술, 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 (2013-2013)
학생인건비통합관리과제, 포항공대산학협력단 (2013-2040)
저항변화메모리(RERAM)소자 개발, 포항공과대학교 (2013-2014)
신규부임교수 기자재지원비(대학부담), 포항공과대학교 (2013-2014)
신규부임교수 기자재지원비(학과부담), 포항공과대학교 (2013-2014)
테라비트급 3차원 RERAM 원천기술 개발, 에스케이하이닉스 주식회사 (2013-2014)
고압열처리 공정을 이용한 차세대 반도체기술개발, (주) 풍산 동탄사업장 (2013-2015)
뉴로모픽(NEUROMORPHIC) 소자용 고집적 시냅스 소자 및 집적공정 개발, 재단법인한국연구재단 (2013-2014)
(박재혁-신소재)OXIDE 층의 GRAIN SIZE에 따른 RERAM의 성능 분석(EFFECT OF GRAIN SIZE OF OXIDE LAYER TO RERAM DEVICE), 포항공과대학교 (2013-2013)
4.8830의 이월과제, 포항공과대학교 (2013-2014)
100 NSEC의 PROGRAM/ERASE SPEED를 갖는 100 NM 이하의 초저전력 RECONFIGURABLE 반도체 소자 (ATOMIC SWITCH, NEMS 소자) 및 소재 원천 기술개발, 한국산업기술평가관리원 (2013-2014)
100 NSEC의 PROGRAM/ERASE SPEED를 갖는 100 NM 이하의 초저전력 RECONFIGURABLE 반도체 소자 (ATOMIC SWITCH, NEMS 소자) 및 소재 원천 기술개발, (사)한국반도체연구조합 (2013-2014)
인건비풀링과제, 포항공과대학교 (2013-2015)
연구개발과제, 포항공과대학교 (2013-2015)
POSTECH-삼성전자 RERAM 클러스터 연구과제(2차년도), 삼성전자(주) (2013-2014)
뉴로모픽(NEUROMORPHIC) 소자용 고집적 시냅스 소자 및 집적공정 개발, 재단법인한국연구재단 (2014-2015)
테라비트급 3차원 RERAM 원천기술 개발, 에스케이하이닉스 주식회사 (2014-2015)
INSULATOR-METAL TRANSITION PHYSICS AND DEVICES, SEMICONDUCTOR RESEARCH CORPORATION (2014-2015)
4.9630, 4.9825 이월과제, 재단법인한국연구재단 (2014-2015)
100 NSEC의 PROGRAM/ERASE SPEED를 갖는 100 NM 이하의 초저전력 RECONFIGURABLE 반도체 소자 (ATOMIC SWITCH, NEMS 소자) 및 소재 원천 기술개발, 한국산업기술평가관리원 (2014-2015)
100 NSEC의 PROGRAM/ERASE SPEED를 갖는 100 NM 이하의 초저전력 RECONFIGURABLE 반도체 소자 (ATOMIC SWITCH, NEMS 소자) 및 소재 원천 기술개발, 한국산업기술평가관리원 (2014-2015)
[민간]100 NSEC의 PROGRAM/ERASE SPEED를 갖는 100 NM 이하의 초저전력 RECONFIGURABLE 반도체 소자 (ATOMIC SWITCH, NEMS 소자) 및 소재 원천 기술개발, (사)한국반도체연구조합 (2014-2015)
POSTECH-삼성전자 RERAM 클러스터 연구과제(3차년도), 삼성전자(주) (2014-2015)
뉴로모픽 소자용 고집적 시냅스 소자 및 집적공정 개발, 재단법인한국연구재단 (2015-2016)
테라비트급 3차원 RERAM 원천기술 개발(5차년도), 한국산업기술평가관리원 (2015-2016)
[기술자문]뉴로모픽 반도체소자 기술개발, SK하이닉스(주) (2015-2016)
INSULATOR-METAL TRANSITION PHYSICS AND DEVICES, SEMICONDUCTOR RESEARCH CORPORATION (2015-2016)
고압열처리 응용확대 및 초임계 공정을 이용한 차세대 반도체 기술 개발, 주식회사 에이치피에스피 (2015-2017)
100 NSEC의 PROGRAM/ERASE SPEED를 갖는 100 NM 이하의 초저전력 RECONFIGURABLE 반도체 소자 (ATOMIC SWITCH, NEMS 소자) 및 소재 원천 기술개발, 한국산업기술평가관리원 (2015-2016)
연구개발과제[2015년 신설], 포항공과대학교 (2015-2031)
100 NSEC의 PROGRAM/ERASE SPEED를 갖는 100 NM 이하의 초저전력 RECONFIGURABLE 반도체 소자 (ATOMIC SWITCH, NEMS 소자) 및 소재 원천 기술개발, (사)한국반도체연구조합 (2015-2016)
단원자 SCALE의 이온제어기반 NANO-ELECTRO-IONIC SWITCH (NEIS) 트랜지스터, 재단법인 삼성미래기술육성재단 (2015-2018)
STACK형 저항 메모리를 위한 다양한 저온 SWITCH 비교 연구, 삼성전자(주) (2015-2016)
뉴로모픽 (NEUROMORPHIC) 소자용 고집적 시냅스 소자 및 집적공정 개발, 재단법인한국연구재단 (2016-2017)
INSULATOR-METAL TRANSITION PHYSICS AND DEVICES, SEMICONDUCTOR RESEARCH CORPORATION (2016-2017)
4.12089_이월과제, 재단법인한국연구재단 (2016-2017)
100 NSEC의 PROGRAM/ERASE SPEED를 갖는 100 NM 이하의 초저전력 RECONFIGURABLE 반도체 소자 (ATOMIC SWITCH, NEMS 소자) 및 소재 원천 기술개발, 한국산업기술평가관리원 (2016-2017)
[민간]100 NSEC의 PROGRAM/ERASE SPEED를 갖는 100 NM 이하의 초저전력 RECONFIGURABLE 반도체 소자 (ATOMIC SWITCH, NEMS 소자) 및 소재 원천 기술개발, (사)한국반도체연구조합 (2016-2017)
시냅스 소자 기반 패턴인식 하드웨어 시스템의 시뮬레이션을 통한 소자/회로/아키텍처 플랫폼 개발, 한국산업기술평가관리원 (2016-2016)
[민간]시냅스 소자 기반 패턴인식 하드웨어 시스템의 시뮬레이션을 통한 소자/회로/아키텍처 플랫폼 개발, (사)한국반도체연구조합 (2016-2017)
NEUROMORPHIC PATTERN RECOGNITION HARDWARE SYSTEM WITH RADIATION HARDNESS, 기타기관 (2017-2017)
R_직접비_10114827_MULTICHANNEL POTENTIOSTAT, 포항공과대학교 (2017-2024)
R_직접비_10122375_X-RAY DIFFRACTOMETER SYSTEM, 포항공과대학교 (2017-2024)
뉴로모픽 (NEUROMORPHIC) 소자용 고집적 시냅스 소자 및 집적공정 개발, 재단법인한국연구재단 (2017-2018)
시냅스 소자 기반 패턴인식 하드웨어 시스템의 시뮬레이션을 통한 소자/회로/아키텍처 플랫폼 개발, (사)한국반도체연구조합 (2017-2017)
[민간]시냅스 소자 기반 패턴인식 하드웨어 시스템의 시뮬레이션을 통한 소자/회로/아키텍처 플랫폼 개발, (사)한국반도체연구조합 (2017-2017)
STACK형 저항 메모리를 위한 다양한 저온 SWITCH 비교 연구(2차년도), 삼성전자(주) (2016-2017)
MECHANICAL STRESS에 의한 MOSFET소자 신뢰성 연구, 삼성전자(주) (2017-2018)
금속산화막을 기반으로 한 저항변화메모리 공정개발, 동부문화재단 (2017-2017)
4.13416 이월과제, 재단법인한국연구재단 (2017-2018)
[신소재]지식재산출원등록비 연구자별 과제, 포항공대산학협력단 (2017-2029)
(민간)100 NSEC의 PROGRAM/ERASE SPEED를 갖는 100 NM 이하의 초저전력 RECONFIGURABLE 반도체 소자 (ATOMIC SWITCH, NEMS 소자) 및 소재 원천 기술개발, (사)한국반도체연구조합 (2017-2018)
100 NSEC의 PROGRAM/ERASE SPEED를 갖는 100 NM 이하의 초저전력 RECONFIGURABLE 반도체 소자 (ATOMIC SWITCH, NEMS 소자) 및 소재 원천 기술개발, 한국산업기술평가관리원 (2017-2018)
단원자 SCALE의 이온제어기반 NANO-ELECTRO-IONIC SWITCH (NEIS) 트랜지스터(2단계), 삼성전자(주) (2017-2019)
LOW VOLTAGE THIN FILM SELECTOR RESEARCH, SEMICONDUCTOR RESEARCH CORPORATION (2018-2018)
MFS 구조 기반 강유전성 HFO2 트랜지스터 개발, 에스케이하이닉스 주식회사 (2018-2020)
저전력 고성능 인공지능 컴퓨팅 소재/소자 개발 분야 자문, 현대엔지비(주) (2018-2018)
NEUROMORPHIC PATTERN RECOGNITION HARDWARE SYSTEM WITH REDIATION HARDNESS, 기타기관 (2018-2019)
시냅스 소자 기반 패턴인식 하드웨어 시스템의 시뮬레이션을 통한 소자/회로/아키텍처 플랫폼 개발, 한국산업기술평가관리원 (2018-2018)
(민간)시냅스 소자 기반 패턴인식 하드웨어 시스템의 시뮬레이션을 통한 소자/회로/아키텍처 플랫폼 개발, (사)한국반도체연구조합 (2018-2018)
인지가소성 저항변화소재 개발, 한국기계연구원부설재료연구소 (2018-2018)
단원자 기반 초저전력 IOT용 통합 소자(2-TERMINAL MEMORY, SWITCH, BATTERY)개발, 재단법인한국연구재단 (2018-2019)
단원자기반 반도체소자 연구소(2018리더) 부서연구관리비, 포항공대산학협력단 (2018-2024)
뉴로모픽반도체 기술 자문(과제진행중지, 연구책임자 요구, 연구년가 취소), 삼성전자(주) (2019-2019)
LOW VOLTAGE THIN FILM SELECTOR RESEARCH, SEMICONDUCTOR RESEARCH CORPORATION (2019-2020)
시냅스 소자 기반 패턴인식 하드웨어 시스템의 시뮬레이션을 통한 소자/회로/아키텍처 플랫폼 개발, 한국산업기술평가관리원 (2019-2019)
단원자 기반 초저전력 IOT용 통합 소자(2-TERMINAL MEMORY, SWITCH, BATTERY)개발(2차년도), 재단법인한국연구재단 (2019-2020)
R_직접비_10139732_CS CORRECTED HR-STEM(JEM-2200FS(UHR)), 포항공과대학교 (2019-2024)
인지가소성 저항변화소재 개발, 한국기계연구원부설재료연구소 (2019-2019)
단원자기반 반도체소자 연구소 부서연구관리비, 포항공대산학협력단 (2019-2024)
(민간)시냅스 소자 기반 패턴인식 하드웨어 시스템의 시뮬레이션을 통한 소자/회로/아키텍처 플랫폼 개발, (사)한국반도체연구조합 (2019-2019)
NEUROMORPHIC PATTERN RECOGNITION HARDWARE SYSTEM WITH RADIATION HARDNESS, 기타기관 (2019-2020)
SWITCHING STABILITY OF CHALCOGENIDE SELECTOR DEVICES, 기타기관 (2019-2020)
4.16802 이월과제, 재단법인한국연구재단 (2019-2020)
(신규)학생인건비통합관리계정(신소재), 포항공대산학협력단 (2019-2040)
MATERIALS DESIGN FOR STEEP SUBTHRESHOLD SLOPE MOSFET WITH SINGLE ATOMIC SCALE FILAMENT, SEMICONDUCTOR RESEARCH CORPORATION (2020-2021)
LOW VOLTAGE THIN FILM SELECTOR RESEARCH, SEMICONDUCTOR RESEARCH CORPORATION (2020-2021)
시냅스 소자 기반 패턴인식 하드웨어 시스템의 시뮬레이션을 통한 소자/회로/아키텍처 플랫폼 개발, 한국산업기술평가관리원 (2020-2020)
단원자 기반 초저전력 IOT용 통합 소자(2-TERMINAL MEMORY, SWITCH, BATTERY)개발, 재단법인한국연구재단 (2020-2021)
가소성 저항변화 소재의 집적화/소자 시스템화에 관한 연구, 한국기계연구원부설재료연구소 (2020-2020)
(민간)시냅스 소자 기반 패턴인식 하드웨어 시스템의 시뮬레이션을 통한 소자/회로/아키텍처 플랫폼 개발, (사)한국반도체연구조합 (2020-2020)
차량용 뉴로모픽 시냅스 소자용 RRAM 개발, 현대엔지비(주) (2020-2021)
SWITCHING STABILITY OF CHALCOGENIDE SELECTOR DEVICES(2차년도), 기타기관 (2020-2021)
4.17494/18758 이월과제, 재단법인한국연구재단 (2020-2021)
DEVELOPMENT OF ION BASED 3 TERMINAL DEVICE WITH IDEAL SYNAPSE CHARACTERISTICS FOR NEUROMORPHIC PATTERN RECOGNITION SYSTEM, IPC-PAC (U.S Army International Tec (2020-2023)
MATERIALS DESIGN FOR STEEP SUBTHRESHOLD SLOPE MOSFET WITH SINGLE ATOMIC SCALE FILAMENT, SEMICONDUCTOR RESEARCH CORPORATION (2021-2022)
단원자 기반 초저전력 IOT용 통합 소자(2-TERMINAL MEMORY, SWITCH, BATTERY)개발, 재단법인한국연구재단 (2021-2022)
4단계 BK21사업 2차년도 미래소재인력 교육연구단(국고), 재단법인한국연구재단 (2021-2022)
신소재_부서자체연구개발비[2021년 신설], 포항공과대학교 (2021-2040)
시냅스 소자 기반 패턴인식 하드웨어 시스템의 시뮬레이션을 통한 소자/회로/아키텍처 플랫폼 개발, 한국산업기술평가관리원 (2021-2021)
차세대 반도체용 고압 열처리 공정 및 장비 신기술, 주식회사 에이치피에스피 (2021-2024)
(민간)시냅스 소자 기반 패턴인식 하드웨어 시스템의 시뮬레이션을 통한 소자/회로/아키텍처 플랫폼 개발, (사)한국반도체연구조합 (2021-2021)
SWITCHING STABILITY OF CHALCOGENIDE SELECTOR DEVICES(3차년도), WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC (2021-2022)
HF-BASED FERRO 물질을 활용한 HIGH PERFORMANCE TR & HIGH CAPACITY MEMORY 응용 위한 원리 심화 연구, 에스케이하이닉스 주식회사 (2021-2023)
MATERIALS DESIGN FOR STEEP SUBTHRESHOLD SLOPE MOSFET WITH SINGLE ATOMIC SCALE FILAMENT, SEMICONDUCTOR RESEARCH CORPORATION (2022-2023)
저전압 FORMING 가능한 ELECTROLYTE 향 TRANSITION METAL OXIDE 물질 개발, 삼성전자(주) (2021-2023)
4단계 BK21사업 2차년도 국고이자(신소재), 재단법인한국연구재단 (2021-2022)
단원자 기반 초저전력 IOT용 통합 소자(2-TERMINAL MEMORY, SWITCH, BATTERY)개발, 재단법인한국연구재단 (2022-2023)
4단계 BK21사업 3차년도 미래소재인력 교육연구단(국고), 재단법인한국연구재단 (2022-2023)
UNDERSTANDING OF W/HZO/W CAPACITOR STACKS AND INTERFACE OPTIMIZATION FOR FRAM APPLICATIONS, FERROELECTRIC MEMORY GMBH (2022-2022)
2022년 IBS 유치기관지원금(신소재/학과지원비), 포항공과대학교 (2022-2023)
ROLE OF WOX AND SUB-AS WELL AS CAPPING LAYERS OF BEOL AND MEOL INTEGRATION FLOWS FOR FRAM, FERROELECTRIC MEMORY GMBH (2022-2023)
SWITCHING STABILITY OF CHALCOGENIDE SELECTOR DEVICES(A-3), WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC (2022-2023)
4.0023173_이월과제(2차년도 이자), 재단법인한국연구재단 (2022-2023)
4.0021509_이월과제(2차년도 국고지원금), 재단법인한국연구재단 (2022-2023)
4.0021490_이월과제, 재단법인한국연구재단 (2022-2023)
CAPACITOR STACK DEVELOPMENT FOR FUTURE FERROELECTRIC MEMORIES, FERROELECTRIC MEMORY GMBH (2022-2023)
단원자 기반 초저전력 IOT용 통합 소자(2-TERMINAL MEMORY, SWITCH, BATTERY)개발, 재단법인한국연구재단 (2023-2024)
4.0023717/4.0024398_이월과제(3차국고), 재단법인한국연구재단 (2023-2024)
4단계 BK21사업 3차년도 국고이자(신소재), 재단법인한국연구재단 (2022-2023)
4.0025701_이월과제(3차이자), 재단법인한국연구재단 (2023-2024)
4단계 BK21사업 4차년도 미래소재인력 교육연구단(국고), 재단법인한국연구재단 (2023-2024)
HW 보안 소자 (TRNG, PUF)용 OVONIC THRESHOLD SWITCHING (OTS) 소자 및 소재 연구, 현대엔지비(주) (2023-2023)
2023년 IBS 유치기관지원금(신소재/학과지원비), 포항공과대학교 (2023-2023)
4.0023566/4.0024549_이월과제, 재단법인한국연구재단 (2023-2024)

IP

황현상,한건희,김영동, 메모리 장치 및 이를 포함하는 전자 시스템, 한국, 10-2023-0117906 (2023)
황현상, 반도체 소자의 제조 방법, 한국, 10-2023-0091721 (2023)
황현상, 3차원 낸드 플래시 메모리 어레이의 제조 방법, 한국, 10-2023-0086001 (2023)
황현상, 반도체 장치의 제조 방법, 한국, 10-2023-0080997 (2023)
황현상, DRAM 셀 제조방법, 한국, 10-2023-0080969 (2023)
황현상, 박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터의 제조 방법, 한국, 10-2023-0085320 (2023)
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황현상,김용운,김태중, 나노시트 전계 효과 트랜지스터 및 이의 제조 방법, 한국, 10-2023-0040974 (2023)
황현상,김동민, 셀렉터 소자를 이용한 하드웨어 기반의 인공 신경망 드롭아웃 구현 장치 및 이를 이용한 신경망 회로 시스템, USA, 18/180,072 (2022)
황현상,최우석, 저항성소자를 이용한 인공지능 엣지 디바이스 구현을 위한 학습 장치 및 방법과 이를 이용한 분석 장치 및 방법, -, PCT/KR2022/0180 (2022)
황현상, 금속산화물 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법, 한국, 10-2022-0080120 (2022)
황현상, 금속산화물 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법, 한국, 10-2022-0092012 (2022)
황현상, Microwave 열처리와 HPHA를 이용한 Si/SiOx계면 특성 개선, 한국, 10-2022-0077404 (2022)
황현상, 하이브리드 열처리에 의한 반도체 소자의 제조방법, 한국, 10-2022-0077404 (2022)
황현상, 선택적 투과 마스크 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법, 한국, 10-2022-0087906 (2022)
황현상, 3차원 낸드 플래시 메모리 어레이의 제조 방법, 한국, 10-2022-0081456 (2022)
황현상, DRAM 셀 제조방법, 한국, 10-2022-0077394 (2022)
황현상, 반도체 소자의 제조 방법 및 반도체 소자, 한국, 10-2022-0087899 (2022)
황현상,김동민, 셀렉터 소자를 이용한 인공 신경망 하드웨어 드롭아웃 방법, 한국, 10-2022-0064198 (2022)
황현상,최우석,이규민, 3단자 시냅스 소자, USA, 17/827,234 (2022)
황현상,김용운,김태중, 나노시트 전계 효과 트랜지스터 및 이의 제조 방법, 한국, 10-2022-0038932 (2022)
황현상,이승우,Banerjee Writam, 2단자 원자기반 스위칭 소자 및 이의 제조방법, USA, 17/833,691 (2022)
황현상,최우석, 저항 어레이 기반의 Edge-AI 디바이스, 한국, 10-2022-0048483 (2022)
황현상,최우석, 인공신경망을 구성하는 아날로그 시냅스 소자의 가중치 확정 방법, USA, 17/718,612 (2022)
황현상,이장섭, METHOD OF MAKING OVONIC THRESHOLD SWITCH SELECTORS USING MICROWAVE ANNEALING, USA, 17/591,200 (2022)
황현상,최우석, 인공신경망을 구성하는 아날로그 시냅스 소자의 가중치 확정 방법, 한국, 10-2021-0176414 (2021)
황현상,최우석,이규민, 3단자 시냅스 소자, 한국, 10-2021-0165818 (2021)
황현상,이승우, 2단자 원자기반 스위칭 소자 및 이의 제조방법, 한국, 10-2022-0006737 (2021)
황현상,이승렬,백인규,MishaA F M Saiful Haque, 저항성 메모리 장치, USA, 14/955,096 (2021)
황현상,장만,이상헌,백인규, 저항성 메모리 장치의 제어 방법, USA, 14/830,377 (2021)
황현상,김영배, 3단자 시냅스 소자 및 그 동작방법, USA, 14/328,300 (2021)
황현상,최우석, 다중 소자 기반의 시냅스를 이용한 신경망 학습 장치 및 방법, USA, 17/558,477 (2021)
황현상,이철준, 신경망 소자 및 이를 구성하는 단위 시냅스 소자, USA, 17/584,302 (2021)
황현상,노수정,이한샘,권준현,최우석,이지성, 저항성 메모리 어레이 기반의 인공신경망 하드웨어 장치, USA, 17/571,255 (2021)
황현상,노수정,이지성,이한샘,권준현,최우석, 저항성 메모리 어레이 기반의 인공신경망 하드웨어 장치, 한국, 10-2021-0106567 (2021)
황현상,이종원, 발열 소자가 집적화 된 이온 기반 3단자 시냅스 소자, 이를 구비하는 3단자 시냅스 어레이 및 이의 동작 방법, 한국, 10-2021-0140945 (2021)
황현상,곽명훈, 아날로그 신호를 확률 신호로 변환하는 역치 변환 소자 기반의 아날로그-확률 변환 장치, USA, 17/533,031 (2021)
황현상,Banerjee Writam,이승우,허성재, 2단자 원자기반 스위칭 소자 및 이의 제조방법, 한국, 10-2021-0112305 (2021)
황현상,Banerjee Writam,이승우, 2단자 원자기반 스위칭 소자 및 이의 제조방법, 한국, 10-2021-0112305 (2021)
황현상,이철준, 신경망 소자 및 이를 구성하는 단위 시냅스 소자, 한국, 10-2021-0062037 (2021)
황현상,최우석, 다중 소자 기반의 시냅스를 이용한 신경망 학습 장치 및 방법, 한국, 10-2021-0056015 (2021)
황현상,최우석, 다중 소자 기반의 시냅스를 이용한 신경망 학습 장치 및 방법, 한국, 10-2021-0056015 (2021)
황현상,곽명훈, 아날로그 대 확률 신호 변환기의 정규화 방법, 한국, 10-2021-0060555 (2021)
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김세영,곽현정,이철준,이민경,황현상, 3단자 시냅스 소자 및 이를 이용한 최대 컨덕턴스 제한 방법, 한국, 10-2021-0012982 (2020)
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김세영,이철준,황현상, 3단자 시냅스 소자를 이용한 뉴로모픽 시스템, 한국, 10-2021-0019959 (2020)
이철준,김세영,황현상, 3단자 시냅스 소자를 이용한 뉴로모픽 시스템, 한국, 10-2021-0019959 (2020)
황현상,허성재, 이온화 가능한 금속 이온이 도핑된 CBRAM 기반의 선택 소자 및 이의 제조 방법, 한국, 10-2020-0189257 (2020)
황현상,허성재, 이온화 가능한 금속 이온이 도핑된 CBRAM 기반의 선택 소자 및 이의 제조 방법, 한국, 10-2020-0189257 (2020)
황현상,곽명훈, 아날로그 신호를 확률 신호로 변환하는 역치 변환 소자 기반의 아날로그-확률 변환 장치, 한국, 10-2020-0161398 (2020)
황현상,곽명훈, 아날로그 신호를 확률 신호로 변환하는 역치 변환 소자 기반의 아날로그-확률 변환 장치, 한국, 10-2020-0161398 (2020)
황현상,이동욱,권정대,김용훈, 역치 적응형 3단자 저항 변화 소자 기반 발화형 뉴런 및 발화형 뉴런 회로, 한국, 10-2020-0141707 (2020)
황현상,이동욱,권정대,김용훈, 역치 적응형 3단자 저항 변화 소자 기반 발화형 뉴런 및 발화형 뉴런 회로, 한국, 10-2020-0141707 (2020)
황현상,김용훈,권정대,이동욱, 3단자 저항 변화 소자 기반 발화형 뉴런 회로 및 이의 동작 방법, 한국, 10-2020-0051222 (2020)
황현상,김용훈,권정대,이동욱, 3단자 저항 변화 소자 기반 발화형 뉴런 회로 및 이의 동작 방법, 한국, 10-2020-0051222 (2020)
황현상,최우석,김세영, 저항 변화 메모리 어레이 기반의 가중 시냅스를 이용한 뉴럴 네트워크, 한국, 10-2020-0074862 (2020)
황현상,최우석,김세영, 저항 변화 메모리 어레이 기반의 가중 시냅스를 이용한 뉴럴 네트워크, 한국, 10-2020-0074862 (2020)
황현상,곽명훈, 하이브리드 시냅스를 이용한 뉴럴 네트워크, 한국, 10-2020-0101481 (2020)
황현상,곽명훈, 하이브리드 시냅스를 이용한 뉴럴 네트워크 하드웨어 성능 최대화 방법, 한국, 10-2020-0101481 (2020)
황현상,곽명훈,권정대,김용훈, 멀티 비트 특성을 갖는 뉴로모픽 시냅스 소자 및 이의 동작 방법, 한국, 10-2019-0176048 (2019)
황현상,곽명훈,권정대,김용훈, 멀티 비트 특성을 갖는 뉴로모픽 시냅스 소자 및 이의 동작 방법, 한국, 10-2019-0176048 (2019)
황현상,이동욱,권정대,김용훈, 3단자 저항 변화 소자 기반 발화형 뉴런 회로 및 이의 동작 방법, 한국, 10-2019-0151711 (2019)
황현상,성창혁, 초박막 하이브리드 메모리 소자 및 이를 포함하는 수직형 3차원 적층구조 메모리 어레이, 한국, 10-2019-0148799 (2019)
황현상,성창혁, 초박막 하이브리드 메모리 소자 및 이를 포함하는 수직형 3차원 적층구조 메모리 어레이, 한국, 10-2019-0148799 (2019)
황현상,임석재, 저항 변화 소자 및 이의 제조 방법, 한국, 10-2019-0117315 (2019)
황현상,임석재, 스위칭 소자 및 이를 포함하는 논리 연산 장치, 한국, 10-2019-0117318 (2019)
황현상,임석재, 스위칭 소자 및 이를 포함하는 논리 연산 장치, 한국, 10-2019-0117318 (2019)
황현상, 높은 정확도를 가진 심전도 부정맥감지기의 하드웨어 뉴럴 네트워크 구현, 한국, 10-2019-0093738 (2019)
황현상, 높은 정확도를 가진 심전도 부정맥감지기의 하드웨어 뉴럴 네트워크 구현, 한국, 10-2019-0093738 (2019)
황현상,유인경, 컨덕턴스와 펄스 폭으로 가중치를 조절할 수 있는 준 벡터 행렬 곱셈 뉴럴 네트워크, 한국, 10-2020-0003243 (2019)
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황현상,유인경, 트랜지스터-커패시터 조합으로 가중치를 통제하는 capacitance 기반 순차 matrix multiplication, 한국, 10-2019-0113317 (2019)
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황현상,유인경, 트랜지스터로 가중치를 조절할 수 있는 컨덕턴스 기반 순차 행렬 곱셈 뉴럴 네트워크, 한국, 10-2020-0003241 (2019)
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황현상,유인경, Pulse 회수로 가중치를 통제하는 capacitance 기반 순차 matrix multiplication, 한국, 10-2019-0113303 (2019)
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황현상,유인경,곽명훈, 크로스-포인트 커패시터 기반의 가중치 소자 및 이를 이용한 뉴럴 네트워크, -, PCT/KR2019/0074 (2019)
황현상,유인경,김재준, 가중치 범위를 탄력적으로 적용할 수 있는 neural network, -, PCT/KR2019/0077 (2019)
황현상,유인경, 가중치 비트폭을 탄력적으로 적용할 수 있는 커패시턴스 기반 뉴럴 네트워크, 한국, 10-2019-0113236 (2019)
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황현상,곽명훈, 퓨즈 소자를 이용한 인공 신경망 하드웨어 시스템 및 이를 이용한 가지치기 방법, 한국, 10-2019-0060672 (2019)
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황현상,유인경,이병근, 강유전체 부분 분극과 저항 스위칭을 이용한 뉴로모픽 시스템, 한국, 10-2020-0127006 (2019)
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황현상,유인경, 비휘발성 메모리 기능을 갖는 트랜지스터 및 이의 작동 방법, -, PCT/KR2019/0028 (2019)
황현상,곽명훈,박재성, 커널 하드웨어 장치, -, PCT/KR2018/0155 (2018)
황현상,유인경,김재준, 가중치 범위를 탄력적으로 적용할 수 있는 neural network, 한국, 10-2019-0048108 (2018)
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황현상,고진원,김용훈,권정대, 3단자 시냅스 소자 및 이의 제조 방법, 한국, 10-2019-0029273 (2018)
황현상,유인경, 인공신경망 프로세서용 활성화 소자, -, PCT/KR2018/0135 (2018)
황현상,유인경, 커패시턴스-기반의 다층 시냅스 소자 및 그의 제조 방법, -, PCT/KR2018/0132 (2018)
황현상,유인경,곽명훈, 크로스-포인트 커패시터 기반의 가중치 소자 및 이를 이용한 뉴럴 네트워크, 한국, 10-2018-0127101 (2018)
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황현상,유인경, 강유전체 표면 conductance를 이용하는 linear multilevel synaptic weight, 한국, 10-2018-0149382 (2018)
황현상,박재혁, 절연체-금속 전이 소자 기반의 전계 효과 트랜지스터, 한국, 10-2018-0159373 (2018)
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황현상,곽명훈, 인공 신경망의 시냅스 회로, 한국, 10-2018-0096994 (2018)
황현상,성창혁, 스위치 역할을 하는 선택소자가 포함된 저항변화 메모리, 한국, 10-2018-0047955 (2018)
유인경,황현상,오승열, 3차원 수직 교차점 구조의 다층 시냅스 가중치 소자 및 그 제조 방법, 한국, 10-2018-0030166 (2018)
황현상,곽명훈, 멀티 레벨의 컨덕턴스를 가지는 뉴로모픽 시냅스 장치 및 이의 동작 방법, 한국, 10-2018-0061811 (2018)
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황현상, 반도체 열처리방법, 대만, 107103831 (2018)
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황현상, 반도체 열처리방법, 중국, 201810108353.1 (2018)
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황현상, 3차원 플래시 메모리 소자의 제조 방법, 대만, 107103828 (2018)
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황현상,곽명훈,박재성, 커널 하드웨어 장치, 한국, 10-2017-0183339 (2017)
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황현상,유인경, 수직 크로스-포인트 가중치 소자 및 이의 동작방법, 한국, 10-2017-0109337 (2017)
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황현상,유인경, 인공신경망 프로세서용 활성화 소자, 한국, 10-2017-0155424 (2017)
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황현상,유인경, 커패시턴스-기반의 다층 시냅스 소자 및 그의 제조 방법, 한국, 10-2017-0147298 (2017)
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황현상,유인경, 수직형 논리곱 가중치 소자 및 그의 동작 방법, 한국, 10-2017-0124869 (2017)
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유인경,황현상, 크로스 포인트 가중치 소자 및 이의 동작방법, 한국, 10-2017-0103428 (2017)
황현상,유종명, 문턱전압이 조절 가능한 트랜지스터, 한국, 10-2017-0103882 (2017)
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황현상,우지용,이동욱, 발화형 뉴런 회로 및 이의 동작 방법, 한국, 10-2017-0081418 (2017)
유인경,황현상,박재성, 다중 레벨의 가중치 소자, 한국, 10-2017-0166084 (2017)
황현상,문기봉, 가중치 회로 및 그 동작 방법, 한국, 10-2017-0089082 (2017)
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황현상,임석재, 저항변화 메모리 소자 및 이의 제조 방법, 한국, 10-2017-0058641 (2017)
황현상,송정환, 저항 변화 메모리 소자 및 그 제조방법, 한국, 10-2015-0150038 (2017)
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황현상, 반도체 열처리방법, 한국, 10-2017-0015779 (2017)
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황현상, 3차원 플래시 메모리 소자의 제조방법, 한국, 10-2017-0015051 (2017)
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황현상,유인경,김창현, 3단자 비파괴 검출형 강유전체 메모리 및 이의 동작방법, 한국, 10-2017-0095818 (2017)
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황현상,유인경, 가중치 소자 및 이의 작동 방법, 한국, 10-2017-0058760 (2017)
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황현상,유인경, 다중 레벨 저장용 반도체 소자, 한국, 10-2017-0049709 (2016)
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황현상,우지용, 뉴로모픽 시스템 응용을 위한 시냅스 장치의 동작 조건, 한국, 10-2017-0048469 (2016)
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황현상,박재혁, 절연체-금속 전이 소자, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 어플리케이션, 한국, 10-2017-0097858 (2016)
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우지용,황현상, 뉴로모픽 시스템 응용을 위한 시냅스 장치, 이의 제조방법 및 이를 포함한 시냅스 회로 소자, 한국, 10-2016-0155948 (2016)
유인경,황현상,김창현, 다중 레벨의 전하 저장이 가능한 반도체 소자, 한국, 10-2017-0048625 (2016)
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황현상,송정환, 스위칭 제어 특성과 가파른 문턱 전압 이하 기울기를 갖는 문턱 스위칭 소자, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 금속 산화물 저항 변화 소자, 한국, 10-2016-0139867 (2016)
유인경,황현상, 멀티레벨 데이터 저장이 가능한 비휘발성 강유전체 소자 및 소자의 동작방법, 한국, 10-2017-0009700 (2016)
황현상,구윤모, 오보닉 문턱 스위칭 소자 및 이의 방법, 한국, 10-2017-0032617 (2016)
황현상,유인경,이장식,서순애, 가중치 소자 및 이의 방법, 한국, 10-2016-0124525 (2016)
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유인경,황현상,이장식, 불휘발성 강유전체 인버터 및 작동방법, 한국, 10-2016-0124492 (2016)
황현상,유인경,이장식, 불휘발성 강유전체 인버터 및 작동방법, 한국, 10-2016-0124492 (2016)
황현상,송정환, 가파른 문턱 전압 이하 기울기를 가지는 문턱 스위칭 소자 및 이를 포함하는 금속 산화물 저항 변화 소자, 한국, 10-2016-0057446 (2016)
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황현상,임석재, 높은 온/오프 저항 비, 낮은 포밍 전압을 구현하기 위한 이중 저항변화 층을 가지는 저항변화 메모리 및 이의 제조방법, 한국, 10-2016-0014003 (2016)
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황현상,차의준,문기봉, 부도체-도체 전이현상을 이용한 뉴런 소자를 포함한 고집적 뉴로모픽 시스템 및 고집적 뉴로모픽 회로, 한국, 10-2015-0179836 (2015)
황현상,차의준,문기봉, 부도체-도체 전이현상을 이용한 뉴런 소자를 포함한 고집적 뉴로모픽 시스템 및 고집적 뉴로모픽 회로, 한국, 10-2015-0179836 (2015)
황현상,장만,이상헌,백인규, 저항성 메모리 장치의 제어 방법, 한국, 10-2014-0169181 (2014)
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황현상,이승렬,백인규,MishaA F M Saiful Haque, 저항성 메모리 장치, 한국, 10-2014-0172457 (2014)
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황현상,임석재,이상헌, 다기능 층을 갖는 저항변화 메모리 및 이의 제조방법, 한국, 10-2015-0034215 (2014)
황현상,장준우,정윤하, 금속-절연체 전이 소자를 이용한 신경회로망 형태 분류기 및 형태 분류 방법, 한국, 10-2015-0010432 (2014)
황현상,장준우,정윤하, 금속-절연체 전이 소자를 이용한 신경회로망 형태 분류기 및 형태 분류 방법, 한국, 10-2015-0010432 (2014)
황현상,이대석,이상헌, 뉴로모픽 시스템 응용을 위한 시냅스 소자 및 그 제조방법, 한국, 10-2014-0172860 (2014)
황현상,이대석,이상헌, 뉴로모픽 시스템 응용을 위한 시냅스 소자 및 그 제조방법, 한국, 10-2014-0172860 (2014)
황현상,이대석, 뉴로모픽 시스템 응용을 위한 시냅스 장치, 한국, 10-2014-0167796 (2014)
황현상,이대석, 뉴로모픽 시스템 응용을 위한 시냅스 장치, 한국, 10-2014-0167796 (2014)
황현상, 고압 원자층 증착 방법, 한국, 10-2014-0048675 (2014)
황현상,이대석, 고압 열처리를 이용한 스핀 온 글랫 절연막 형성방법, 한국, 10-2014-0048674 (2014)
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황현상,이상헌, 다중 동작을 수행하는 전자 소자, 한국, 10-2014-0103196 (2014)
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황현상,우지용,양민규,김영배, 메모리 소자 및 메모리 셀 어레이, 한국, 10-2014-0012210 (2014)
황현상,우지용,양민규,김영배, 메모리 소자 및 메모리 셀 어레이, 한국, 10-2014-0012210 (2014)
황현상,우지용, 양방향 스위칭 특성을 갖는 2-단자 스위칭 소자, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 저항성 메모리 소자 크로스-포인트 어레이, USA, 14/229,817 (2014)
황현상,우지용, 양방향 스위칭 특성을 갖는 2-단자 스위칭 소자, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 저항성 메모리 소자 크로스-포인트 어레이, USA, 14/229,817 (2014)
황현상,장준우,정윤하, 저항변화 메모리를 이용한 신경회로망 형태 분류기 및 형태 분류 방법, 한국, 10-2014-0055231 (2014)
황현상,장준우,정윤하, 저항변화 메모리를 이용한 신경회로망 형태 분류기 및 형태 분류 방법, 한국, 10-2014-0055231 (2014)
황현상,이상헌,베노쉬 아타리 마샬코우베, 저항 변화 메모리 소자, 한국, 10-2014-0024224 (2014)
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황현상,김영배, 3단자 시냅스 소자 및 그 동작방법, 한국, 10-2013-0128019 (2014)
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황현상,박상수,이병훈,이병근,이보름,전문구, 학습을 통한 음성신호 인식방법과 시냅스 특성을 가지는 전자 소자의 응용 방법, 한국, 10-2013-0149989 (2013)
황현상,박상수, 가변저항층을 가지는 RRAM과 이를 포함하며 향상된 시냅스 특성을 가지는 전자 소자, 한국, 10-2013-0149988 (2013)
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황현상,이상헌, 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법, 한국, 10-2013-0146121 (2013)
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황현상,이대석, 금속-절연체 전이현상을 이용한 선택 소자, 및 이를 포함하는 비휘발성 메모리 셀, 한국, 10-2013-0138851 (2013)
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황현상,우지용, 양방향 스위칭 특성을 갖는 2-단자 스위칭 소자, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 저항성 메모리 소자 크로스-포인트 어레이, 한국, 10-2013-0097868 (2013)
황현상,우지용, 양방향 스위칭 특성을 갖는 2-단자 스위칭 소자, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 저항성 메모리 소자 크로스-포인트 어레이, 한국, 10-2013-0097868 (2013)
황현상,박상수,이대석, 시냅스 특성을 가지는 RRAM을 이용한 전자소자, 한국, 10-2013-0016681 (2013)
황현상,이대석,박상수, RRAM과 이를 포함하며 향상된 시냅스 특성을 가지는 전자 소자, 한국, 10-2013-0028170 (2013)
황현상,이대석,박상수, RRAM과 이를 포함하며 향상된 시냅스 특성을 가지는 전자 소자, 한국, 10-2013-0028170 (2013)
황현상,이대석,김성현, 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조방법, 한국, 10-2012-0134266 (2012)
황현상,이대석,김성현, 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조방법, 한국, 10-2012-0134266 (2012)